化合物半导体磊晶片
品牌: IQE
提供应用于无线微波通讯（Wireless RF）、电力电子（Power Electronics）、手机及基地台的功率放大器（Power Amplifier, PA）、电信数据通讯（tele-communication & data-communication）、光纤通讯（Optical- Fiber communications）、光储存（Optical Storage）、手势辨识（Gesture Recognition）等领域之化合物半导体磊晶片。
所用之基板材料涵盖砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、锑化镓（GaSb）、氮化镓（GaN）、碳化矽（SiC）等。
产品范围包含异质双极性接电电晶体（HBT）、高电子迁移率电晶体（HEMT、pHEMT、mHEMT）、Fabry-Perot Laser、分布式反馈雷射（DFB Laser）、垂直共振腔面射型雷射（VCSEL）、光侦测元件（Detectors）、PIN检光二极体（PIN Diodes）、雪崩光电二极体（APD）、多层介面聚光型太阳能电池（Multi-Junction CPV）、量子井红外光侦测器（QWIP）等。
尺寸：2"，3" ，4"，6"，8"矽晶圆
品牌: 多家台/日合作厂商，欢迎来电洽询
半导体 Czochralski（Cz）method、Magnetic Czochralski method（MCZ）、Floating Zone（FZ）矽晶圆，提供各种等级包含 Prime Grade、Test Grade、Dummy、Mechanical Grade。
尺寸：2"，3" ，4"，5"，6"，8"，12"。
掺杂型态：P-type（Boron）、N-type（Red Phorsphor）、N-type（Antimony）、N-type（Arsenic）。再生矽晶圆
品牌: 多家台/日合作厂商，欢迎来电洽询
提供报废矽晶圆再重制研磨抛光服务。
再重制抛光矽晶圆。矽晶圆加工薄膜SiO2 或 切割片
品牌: 多家台/日合作厂商，欢迎来电洽询
矽晶圆上覆二氧化矽层。
砷化镓基板, 磷化铟基板, 锗基板
适用于主光电及高频应用的高性能半导体基板，包括：
砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、锗（Ge）。
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