提供应用于无线微波通讯(Wireless RF)、电力电子(Power Electronics)、手机及基地台的功率放大器(Power Amplifier, PA)、电信数据通讯(tele-communication & data-communication)、光纤通讯(Optical- Fiber communications)、光储存(Optical Storage)、手势辨识(Gesture Recognition)等领域之化合物半导体磊晶片。
所用之基板材料涵盖砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)等。
产品范围包含异质双极性接电电晶体(HBT)、高电子迁移率电晶体(HEMT、pHEMT、mHEMT)、Fabry-Perot Laser、分布式反馈雷射(DFB Laser)、垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、光侦测元件(Detectors)、PIN检光二极体(PIN Diodes)、雪崩光电二极体(APD)、多层介面聚光型太阳能电池(Multi-Junction CPV)、量子井红外光侦测器(QWIP)等。
尺寸:2",3" ,4",6",8"