• 晶圆

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    化合物半导体磊晶片

    品牌: IQE

    提供应用于无线微波通讯(Wireless RF)、电力电子(Power Electronics)、手机及基地台的功率放大器(Power Amplifier, PA)、电信数据通讯(tele-communication & data-communication)、光纤通讯(Optical- Fiber communications)、光储存(Optical Storage)、手势辨识(Gesture Recognition)等领域之化合物半导体磊晶片。
    所用之基板材料涵盖砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaSb)、氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)等。
    产品范围包含异质双极性接电电晶体(HBT)、高电子迁移率电晶体(HEMT、pHEMT、mHEMT)、Fabry-Perot Laser、分布式反馈雷射(DFB Laser)、垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、光侦测元件(Detectors)、PIN检光二极体(PIN Diodes)、雪崩光电二极体(APD)、多层介面聚光型太阳能电池(Multi-Junction CPV)、量子井红外光侦测器(QWIP)等。


    尺寸:2",3" ,4",6",8"

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    矽晶圆

    品牌: 多家台/日合作厂商,欢迎来电洽询

    半导体 Czochralski(Cz)method、Magnetic Czochralski method(MCZ)、Floating Zone(FZ)矽晶圆,提供各种等级包含 Prime Grade、Test Grade、Dummy、Mechanical Grade。
    尺寸:2",3" ,4",5",6",8",12"。
    掺杂型态:P-type(Boron)、N-type(Red Phorsphor)、N-type(Antimony)、N-type(Arsenic)。

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    再生矽晶圆

    品牌: 多家台/日合作厂商,欢迎来电洽询

    提供报废矽晶圆再重制研磨抛光服务。
    再重制抛光矽晶圆。

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    矽晶圆加工薄膜SiO2 或 切割片

    品牌: 多家台/日合作厂商,欢迎来电洽询

    矽晶圆上覆二氧化矽层。

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    砷化镓基板, 磷化铟基板, 锗基板

    适用于主光电及高频应用的高性能半导体基板,包括:
    砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锗(Ge)。