半导体材料

高纯度半导体扩散制程材料、太阳能电池化学材料、光纤化学材料
POCl3 氧氯化磷。BBr3 三溴化硼
用途：扩散、掺杂、用在硅芯片的 N 型掺杂、半导体制程、太阳能电池、光纤预制棒、分离器件等的液态源。

全自动氧氯化磷（POCl3）中央供应系统（PVRefill System）。主要特点为 :

1、中央供应输送POCl3液体材料至扩散机台炉管玻璃瓶。持续维持瓶内中高液位使扩散制程气体流量更稳定。

2、减少停机更换玻璃瓶的时间。可增加芯片产出量，且降低工安风险。

3、零残料，节省残料成本。

硅晶棒拉晶制程中P型、N型掺杂固态金属原料
P型：超高纯度硼 （Boron）。
N型：红磷 （Red Phosphor）、砷（As）、锑（Sb）。
提供各种尺寸的不规则块状（chunk）、粉末（Powder）、颗粒（Shot）。

提供涂布式玻璃 SOG（Spin-on-Glass）／SOD（Spin-on-Dopant）液体溶液。利用旋转、喷涂或浸涂法于基板上形成固体薄膜介质层（thin film dielectric layer）。
客制配方，根据不同的制程需求提供多样不同的Spin-on Dopant（SOD）掺杂选择。
应用在微芯片、太阳能、光电子、半导体封装、微机电（MEMS）等。
如：Ga2O3 MOSFET、Diode、Trench Fill、Smoothing & Masking、Wafer Bonding、BCP/IBC（interdigitated back contact）Solar Cell及其他产品应用。

高纯度蒸镀用金属（metal for filament & e-beam evaporator）／稀土金属（rare earth Metals）。
依制程需求提供多样的元素、合金、化合物，包括钛（Ti）、铝（Al）、镍（Ni）、磷化锌（Zn3P2）、砷化锌（Zn3As2）以及稀土金属材料钪（Sc）、钇（Y）和镧（La）系元素等。
各式金属、金属化合物及合金，小包装以满足客户之需求。
根据不同的制程需求提供多样的金属、化合物选择。

PFL生产的钢瓶（Cylinder、Bubbler）通过业界高安规之DOT认证。采用SS316不锈钢材质为主。可因应客户需求制作从50mL~60L各种容量的制品。与各大阀件商合作可提供客户需求的阀件。亦可选配含液位侦测与测温功能之产品。主要用于装填先驱化学品（Precursor）及特殊有机金属（Metal-Organic Source），应用于有机金属化学气相沈积（MOCVD）、化学气相沈积（CVD）、原子层沈积（ALD）等半导体薄膜制程。